多畫面全彩LED拼接圖像處理器,單機(jī)多同時可支持16張不同分辨率的發(fā)射卡,單機(jī)高可以支持30720*1080 LED點陣。多臺機(jī)器級聯(lián)可以實現(xiàn)無限幅度的LED點陣實時動態(tài)顯示。 可以任意配置發(fā)射卡進(jìn)行LED點陣堆砌，可以自由選擇灰度級數(shù)。可以任意設(shè)置單個LED發(fā)射卡的輸出內(nèi)容點陣。

多路信號同步實時顯示 顯示條件：多張發(fā)射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏； 信號情況：多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號（選配）。 實現(xiàn)功能：選擇其中多路在超大分辨率LED屏體上同時顯示。

早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅(qū)動電流為20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應(yīng)的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產(chǎn)生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

90年代初，發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍(lán)光的GaInN兩種新材料的開發(fā)成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區(qū)（λp=615nm）的光效達(dá)到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區(qū)域（λp=530nm）的光效可以達(dá)到50流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍(lán)光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍(lán)光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍(lán)光部分被熒光粉吸收，另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光?，F(xiàn)在，對于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學(xué)組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

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