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上海半燒結(jié)銀半燒結(jié)銀和全燒結(jié)銀半燒結(jié)銀膠

更新時間:2025-09-28 [舉報]
IGBT應(yīng)用和有壓燒結(jié)銀工藝流程介紹

而燒結(jié)技術(shù)通過高溫使AS9330表面原子互相擴散,從而形成致密結(jié)構(gòu)的過程,也稱之為“低溫?zé)Y(jié)技術(shù)”。加入納米銀粒子的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)大大提升了導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能,可滿足對于第三代半導(dǎo)體高功率器件的電子互聯(lián)應(yīng)用。

半燒結(jié)銀AS9330可以粘結(jié)金、銀、銅、鎳鈀金、引線框架等多種材質(zhì),適用∩寬泛的芯片粘結(jié)尺寸:從1*1mm2至8*8mm2(Die Size)不等。當(dāng)然,燒結(jié)溫度隨著芯片尺寸的大小要做適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。

AS9330結(jié)合了性能、可靠性和可加工性。對于那些希望找到焊料的無鉛替代品(無需昂貴或復(fù)雜的加工,又能確保與傳統(tǒng)材料同等或更優(yōu)的性能)的封裝而言,AS9330燒結(jié)銀可以全面滿足他們的需求,同樣也為實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體功率的電子互聯(lián)提供很好解決方案。

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