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供應(yīng)商	徐州市嘉富特商貿(mào)有限公司店鋪
認(rèn)證
報(bào)價(jià)	面議
關(guān)鍵詞	古交硅料回收,長(zhǎng)治硅料回收,隰硅料回收,硅料回收現(xiàn)金交易
所在地	江蘇徐州睢寧縣沙集大顧村

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

截至2021年底，國(guó)內(nèi)基于化學(xué)法和物理法的分別代表不同技術(shù)路線的首條示范線在上饒和保定建成。其中化學(xué)法的晶硅光伏組件環(huán)保處理示范線，產(chǎn)能超過(guò)12 MW/年，突破了電池/玻璃低損拆解技術(shù)和裝備，實(shí)現(xiàn)總質(zhì)量回收率92%、銀/硅/銅回收率95%/95%/98；物理法的晶硅光伏組件環(huán)保處理示范線，成功研制組件拆解、組分靜電分離核心裝備，實(shí)現(xiàn)總質(zhì)量回收率99.7%、銀/硅/銅回收率達(dá)到94.3%/97.7%/97.1%，產(chǎn)能超過(guò)10 MW/年。

國(guó)際能源機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2030年，全球光伏組件回收將達(dá)800萬(wàn)噸左右，迎來(lái)回收大潮。2050年，全球會(huì)有將近8000萬(wàn)噸的光伏組件進(jìn)入回收階段。其中，中國(guó)將在2030年面臨需要回收達(dá)150萬(wàn)噸的光伏組件，在2050年將達(dá)到約2000萬(wàn)噸。

1956年研究成功氫還原三氯氫硅法。對(duì)硅中微量雜質(zhì)又經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的探索后，氫還原三氯氫硅法成為一種主要的方法。到1960年，用這種方法進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn)已具規(guī)模。硅整流器與硅閘流管的問(wèn)世促使硅材料的生產(chǎn)一躍而居半導(dǎo)體材料的。60年代硅外延生長(zhǎng)單晶技術(shù)和硅平面工藝的出現(xiàn)，不但使硅晶體管制造技術(shù)趨于成熟，而且促使集成電路迅速發(fā)展。80年代初全世界多晶硅產(chǎn)量已達(dá)2500噸。硅還是有前途的太陽(yáng)電池材料之一。用多晶硅制造太陽(yáng)電池的技術(shù)已經(jīng)成熟；無(wú)定形非晶硅膜的研究進(jìn)展迅速；非晶硅太陽(yáng)電池開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。

硅具有優(yōu)良的半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)。禁帶寬度適中，為1.12電子伏。載流子遷移率較高，電子遷移率為1350厘米2/伏·秒，空穴遷移率為480厘米2/伏·秒。本征電阻率在室溫(300K)下高達(dá)2.3×105歐·厘米,摻雜后電阻率可控制在104～10-4 歐·厘米的寬廣范圍內(nèi)，能滿足制造各種器件的需要。硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命較長(zhǎng),在幾十微秒至1毫秒之間。

生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對(duì)位錯(cuò)密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯(cuò)排、星形結(jié)構(gòu)等缺陷存在。位錯(cuò)密度低于 200/厘米2者稱(chēng)為無(wú)位錯(cuò)單晶，無(wú)位錯(cuò)硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無(wú)位錯(cuò)硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團(tuán)、自間隙原子團(tuán)、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱(chēng)為旋渦缺陷。熱加工過(guò)程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。

硅是地殼上豐富的元素半導(dǎo)體, 性質(zhì)而工藝技術(shù)比較成熟,已成為固態(tài)電子器件的主要原料。為適應(yīng)超大規(guī)模集成電路的需要,高完整性高均勻度(尤其是氧的分布) 的硅單晶制備技術(shù)正在發(fā)展。雖然在超速集成電路方面砷化鎵材料表現(xiàn)出的性，但尚不可能全面取代硅的地位。硅材料在各種晶體三極管、尤其是功率器件制造方面仍是主要的材料。無(wú)定形硅可能成為同單晶硅并列的重要硅材料。無(wú)定形硅和多晶硅太陽(yáng)電池的成功將使硅材料的消耗量急劇增加。